功率半导体器件（Powersemiconductor device）也被称为电力电子器件，是电子装置电能转换与电路控制的核心。其作用是在高电压或大电流条件下，改变电压和频率，或将直流转换为交流、交流转换为直流等形式的电力转换，包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。

 功率半导体器件通常有三类产品形式，一类是电源管理IC，一类是功率模块，还有一类是功率分立器件。早期的功率分立器件有大功率二极管和晶闸管等，后期的功率分立器件主要是以MOSFET为代表的新型功率半导体器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。

 功率半导体器件的封装制造过程，不仅需要考虑到焊料的印刷性（点涂性）、焊接的可靠性、助焊剂残留的清洗性、助焊剂残留和塑封料的兼容性等，还需要考虑到功率器件的大电流、高发热量、超高功率的特性。功率器件向着更小晶粒面积发展的趋势能带来性能和成本方面的优势，也会带来散热方面的劣势；向更高的电压和更低的损耗方向的发展，则要求焊接层有更小的空洞率，这也加大了我们对于电子材料的均一性，稳定性，颗粒集中度有了更的高要求。

  通过使用真空搅拌机以及三辊研磨机，可有效的抑制空洞产生并提高产品的性能。